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透明的四端鈣鈦礦太陽能電池采用離子調(diào)制的 spiro-MeOTAD空穴傳輸層,即鈍化界面缺陷,增強(qiáng)載流子動力學(xué),并允許寬帶隙鈣鈦礦功函數(shù)可調(diào)。當(dāng)集成到機(jī)械堆疊的四端(4T)疊層器件,底電池是n-TOPCon時,該疊層器件實(shí)現(xiàn)了28.4%–30.2%的整體效率,同時提高了開路電壓和填充因子。
印度理工學(xué)院孟買分校的研究人員制造了一種基于空穴傳輸層(HTL)的透明四端(4T)鈣鈦礦太陽能電池,該空穴傳輸層既能抑制界面復(fù)合,同時增強(qiáng)光致發(fā)光量子產(chǎn)額和準(zhǔn)費(fèi)米能級分裂。
該研究的通訊作者Dinesh Kabra告訴pvmagazine:“該器件還表現(xiàn)出動態(tài)可調(diào)功函數(shù),使得能有效耦合能隙變化的鈣鈦礦吸收層。”在三種鈣鈦礦組分中,該器件在開路電壓和填充因子方面表現(xiàn)出顯著提升,且不受帶隙影響。該通用HTL采用透明的n-i-p配置鈣鈦礦太陽能電池,提升效率和運(yùn)行穩(wěn)定性,在與商用n-TOPCon硅電池以四端串聯(lián)方式光學(xué)耦合時,總效率可達(dá)30.2%。
他繼續(xù)說:“我們的策略消除了對帶隙專用HTL工程的需求,從而減輕了鹵化物分離,這是串聯(lián)光伏中寬帶隙鈣灰礦的一個關(guān)鍵限制。” 將傳輸層兼容性與吸收劑組成脫耦,使鈣鈦礦配方可以基于本質(zhì)穩(wěn)定性和光電質(zhì)量選擇,而非界面限制。因此,它能夠?qū)崿F(xiàn)吸收層的優(yōu)化,獨(dú)立于電荷選擇層匹配;這一通用HTL重新定義了串聯(lián)器件設(shè)計原則,并為實(shí)現(xiàn)商業(yè)可行、高度穩(wěn)定和高效的鈣鈦礦-硅光伏提供了可擴(kuò)展的路徑。”
在發(fā)表于英國皇家化學(xué)會的文章Bandgap-tunable transparent perovskite solar cells for 4T Si/perovskite tandem photovoltaics with PCE > 30% via rational interface management。
科學(xué)家們解釋說該電池是用離子調(diào)制的spiro-OMeTAD制成的HTL制造的,指出用于鈣鈦礦電池應(yīng)用的spiro-OMeTAD通常摻雜一種稱為鋰(三氟甲烷磺酰)酰亞胺(LiTFSI)的化合物提升空穴的抽取和導(dǎo)電性。然而,這種摻雜需要耗時24小時的空氣氧化,據(jù)報道這對鈣鈦礦光伏裝置的商業(yè)化生產(chǎn)構(gòu)成了障礙。
據(jù)報道,離子調(diào)制、自由基摻雜的spiro-MeOTAD HTL可通過4-叔丁基-1-甲基吡啶雙(三氟甲烷磺酰)酰亞胺(TBMPTFSI)鹽調(diào)制實(shí)現(xiàn)最佳功函數(shù)調(diào)諧,提升穩(wěn)定性。與分子結(jié)構(gòu)工程用于能級調(diào)整不同,該方法提供了更簡單、更可控的能級對齊和減少界面缺陷的方法。
串聯(lián)裝置采用頂部鈣鈦礦電池,基底為玻璃,電子傳遞層(ETL)由二氧化錫制成(SnO 2),鈣鈦礦吸收層,spiro-MeOTAD空穴輸運(yùn)層(HTL)、作為頂層透明電極(TE)的氧化銦鋅(IZO)層,以及銀(Ag)金屬柵極。
研究人員表示,TBMPTFSI濃度在15%至20%之間進(jìn)行極限提取,并對HTL自旋涂層速度進(jìn)行精確調(diào)整,顯著提升了每種鈣鈦礦組的效率、開路電壓和填充因子。結(jié)合離子spiro-HTL顯著延長了載流子壽命,并降低了Shockley–Read–Hall重組常數(shù),顯示界面缺陷較少。光學(xué)表征確認(rèn)鈣鈦礦帶邊緣變化極小,光致發(fā)光量產(chǎn)率(PLQY)測量進(jìn)一步證實(shí)了離子Spiro器件缺陷密度降低的情況。
研究人員將鈣鈦礦集成為機(jī)械堆疊的四端(4T)串聯(lián)配置,配合n-TOPCon硅太陽能電池,串聯(lián)器件整體效率達(dá)到28.4%至30.2%。外部量子效率(EQE)、透射率和集成JSC的測量與J–V和光學(xué)分析高度匹配,驗證了離子調(diào)制HTL帶來的性能提升。最后,在高溫、連續(xù)照明和最大功率點(diǎn)跟蹤下的穩(wěn)定性測試顯示,采用離子SpiroHTL的器件表現(xiàn)出略微增強(qiáng)的堅固性,這與界面缺陷密度的降低相符。
Kabra表示:“值得注意的是,引入帶有優(yōu)化功函數(shù)的離子調(diào)制spiro-MeOTAD顯著提升了表面缺陷容忍度,從而影響了載流子動力學(xué),從而實(shí)現(xiàn)了2–5%的開路電壓和6–7%的填充率提升!薄斑@些發(fā)現(xiàn)凸顯了利用離子調(diào)制spiro-MeOTAD進(jìn)行界面缺陷鈍化的關(guān)鍵作用,在實(shí)現(xiàn)串聯(lián)應(yīng)用中高效穩(wěn)定的鈣鈦礦太陽能電池,為下一代光伏技術(shù)提供了有前景的道路!
作者: 來源:鈣鈦礦與OPV薄膜太陽能
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