黑硅對(duì)光伏行業(yè)來講，不是一個(gè)新技術(shù)。不過，黑硅技術(shù)近期的進(jìn)展可能歸結(jié)于兩個(gè)主要因素：第一，金剛線切割能夠大幅度的降低多晶硅片成本，但傳統(tǒng)的酸制絨導(dǎo)致電池效率降低，而黑硅制絨可以很大幅度上解決金剛線切割帶來了制絨工藝上的困難。第二，黑硅技術(shù)的設(shè)備成本降低，電池和組件端的進(jìn)步也促進(jìn)了該技術(shù)的發(fā)展。

　　

　　黑硅除了能解決外觀問題之外，還能形成奈米級(jí)的凹坑、增加入射光的捕捉量，降低多晶電池片的光反射率以推升轉(zhuǎn)換效率。故金剛線切搭配黑硅技術(shù)的工藝，能同時(shí)兼顧硅片端降本與電池片端提效兩方面。

　　

　　目前黑硅技術(shù)主要分成干法制絨的離子反應(yīng)法（Reactive Ion Etching，RIE）技術(shù)，以及濕法制絨的金屬催化化學(xué)腐蝕法（Metal Catalyzed Chemical Etching，MCCE）。

　　

　　以現(xiàn)有設(shè)備來看，RIE技術(shù)因效率提升較高、已有量產(chǎn)實(shí)績等因素較被市場接受，然而其機(jī)臺(tái)價(jià)格昂貴，讓不少欲進(jìn)入者躊躇不前。濕法MCCE方面，雖然機(jī)臺(tái)價(jià)格遠(yuǎn)低于干法制絨，但現(xiàn)有技術(shù)尚未成熟，容易導(dǎo)致外觀顏色不均、轉(zhuǎn)換效率較低、廢液難以回收等議題，目前仍無法解決。

　　

　　因此，近兩年黑硅的產(chǎn)能擴(kuò)充將不如PERC當(dāng)年迅速。不過，為抵御單晶產(chǎn)品步步進(jìn)逼，多晶電池片廠商也會(huì)開始采用黑硅技術(shù)，以推升電池效率。隨著金剛線切多晶硅片品質(zhì)趨于穩(wěn)定，黑硅產(chǎn)品也將引燃另一波產(chǎn)業(yè)界的熱烈討論。

　　

　　

　　MWT （metal Wrap Through 金屬穿透）技術(shù)是在硅片上利用激光穿孔技術(shù)結(jié)合金屬漿料穿透工藝將電池片正面的電極引到背面從而實(shí)現(xiàn)降低正面遮光提高電池轉(zhuǎn)換效率的目的。同時(shí)由于該技術(shù)的組件封裝特點(diǎn)，組件的串聯(lián)電阻低，轉(zhuǎn)換效率高；并且可以適用于更薄的硅片，使得進(jìn)一步較大幅度降低成本成為可能。

　　

　　若考慮系統(tǒng)安裝總量相同的情況（假設(shè)均為1MW），則采用更高功率的組件在節(jié)約安裝面積的同時(shí)，也能夠節(jié)約單瓦成本。

　　

　　針對(duì)常規(guī)電池和組件的不足，MWT電池組件采用了全新的電池和組件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，大幅提高了電池和組件的光電轉(zhuǎn)化效率及可靠性，60片電池的單、多晶硅電池組件標(biāo)準(zhǔn)輸出功率分別達(dá)到290W和280W，較市場常規(guī)產(chǎn)品提高8%左右，達(dá)到行業(yè)領(lǐng)先水平。

　　

　　并且，MWT電池組件已被列入國家光伏組件"領(lǐng)跑者"計(jì)劃，得到了廣泛認(rèn)可。MWT組件不僅輸出功率遠(yuǎn)高于常規(guī)產(chǎn)品，而且比常規(guī)產(chǎn)品美觀大方，性能更穩(wěn)定可靠，電池片背面的平面金屬箔還可起到隔絕水汽和增強(qiáng)散熱的作用，在高溫高輻照度區(qū)實(shí)際發(fā)電量優(yōu)勢更為明顯。 

首頁 上一頁 1 2 3 下一頁 尾頁 2/3/3

作者： 來源：華夏能源網(wǎng) 責(zé)任編輯：wutongyufg

• 上一篇：中國鈣鈦礦薄膜太陽能電池組件效..
• 下一篇：中科院化學(xué)所新型GeSe無機(jī)薄膜太..